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8月初，AMD Ryzen 9000系列处理器终于正式上市，由于多种原因，其全部性能目前尚无法全部发挥出来，因此，现阶段大家的关注重点还是在性能方面。不过，本文的主题并不是介绍Ryzen 9000系列处理器的性能，也不是它的纸面参数，而是其硬件层面的内部构造。
——是的，你没有看错，近期海外极客F tzchens F tz拆解了Ryzen 5 9600X这款处理器，并用专业设备拍下了放大后的内部高清图片， 具有参考价值。
具体而言， Ryzen 5 9600X采用单个Zen 5 CCD（部分高端型号有两个CCD）和单个IOD，请参阅上图。可能有些朋友不理解什么是处理器的“CCD”和“IOD”，下面小编科普一下：
CCD是处理器内部的关键组成部分，它的主要职责是负责执行各种计算任务。它包含了多个计算单元（如CCX），这些计算单元可以协同工作，以实现 的数据处理，大家可以把CCD理解成是处理器的计算单元。
IOD是处理器中的输入/输出内核的简称，主要负责处理与输入/输出相关的功能。包括内存控制器、IO控制器、IF总线等。这些组件协同工作，用以实现处理器与外部设备之间的数据传输和通信，大家可以把IOD理解成是处理器的输入/输出内核，具体情况请参阅上图。
在AMD所发布的某些处理器型号中，CCD和IOD部分可能是由不同代工厂所制造的，或者由同一代工厂使用不同的工艺制程所制造，最后再封装在一起的，IOD部分的制造工艺往往落后于CCD。
下面小编举一个例子：比如Ryzen Thread pper 3990X这款处理器，拥有64核128线程，其CCD部分采用台积电7nm工艺制造，IO部分采用格罗方德12nm工艺制造，请参阅上图。
所以，在对于某款处理器的严谨介绍中，这两部分的制造工艺往往是分开介绍的，而一般谈及某款处理器的制造工艺主要是指CCD部分的制造工艺。
AMD Zen 5 CCD芯片（Eldora）的面积为70.6mm²，拥有831.5亿个晶体管，采用台积电N4P工艺制造，而IDO芯片则与上一代保持不变，继续使用台积电6nm工艺制造。
另外，相比之前的Zen 3 CCD和Zen 4 CCD，Zen 5 CCD有一个明显的变化，其TSV（硅通孔）的数量要少得多。要理解这些，首先就必须理解“TSV”是什么，以下是简要介绍：
TSV的英文全文为“Through Silicon Via”，中文意思是指硅通孔技术。这是一种先进的三维集成电路封装技术，通过在芯片上制作垂直贯通的微小通孔，在通孔中填充导电材料（如铜、钨等），可以实现芯片内部不同层面之间以及芯片之间的垂直电气连接。
它的优势在于可以通过垂直堆叠不同功能的芯片，可以大幅度提高电子元器件的集成度，还可以减小封装的几何尺寸和封装重量、降低功耗和提升性能。
尽管拥有诸多优势，TSV技术目前尚不完全成熟、完善，也存在着一些问题和短板。简单来说，主要是技术难度大、成本高，良品率低，还需要继续进一步完善。
Zen 5 CCD的TSV（硅通孔）数量减少，说明台积电方面的制造工艺有一定的调整，至于具体的调整原因，现在没有可靠权威的说法。
目前有一种主流的说法是TSVs在L3缓存中的位置可能会给Zen 5 CCD带来压力，因此要想办法减少其所占用的空间，为搭载大容量3D V-cache型号预留空间。
虽然目前采用Zen 5架构的Ryzen 9000系列处理器已经发布上市，但是Ryzen 9000系列处理器只是采用Zen 5 CCD的一部分产品线而已，预计未来它也将应用于St x、St x Halo和Fire Range Krackan等在内的多个产品线。
当然，AMD Zen 5架构的实际体验如何，还有待市场和消费者进行验证。
补充说明：本文是有关Ryzen 5 9600X和Zen 5架构硬件层面的分析，其中一部分来自于海外科技博主F tzchens F tz，另外一部分来自于小编个人的分析解读，并非来自于AMD ，由于水平有限，不保证内容绝对准确，仅供参考。
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